Наименование: FD800R17KE3_B2

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 5200

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1700

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 800

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 125

Время нарастания типовое (tr), nS: 160

Тип корпуса: MODULE