Наименование: FF1200R17KP4_B2

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 6250

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1700

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 1200

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150

Время нарастания типовое (tr), nS: 190

Тип корпуса: MODULE